Introduzione, Caratteristiche E Applicazioni Del MOSFET Di Potenza A Doppio Canale N Onsemi NVMFD027N10MCL

2/26/2024 9:45:00 AM

Abstract: MOSFET di potenza automobilistico da 100 V, 28 A, 26 milliohm, design compatto ed efficiente.

onsemi NVMFD027N10MCL MOSFET di potenza a doppio canale n

onsemi NVMFD027N10MCL MOSFET di potenza a doppio canale n è un MOSFET di potenza automobilistico da 100 V, 28 A, 26 milliohm con un design compatto ed efficiente. Il dispositivo qualificato AEC-Q101 e abilitato PPPP è alloggiato in un contenitore a conduttore piatto da 5 mm x 6 mm con opzioni laterali bagnabili per una migliore ispezione ottica. Il MOSFET onsemi NVMFD027N10MCL presenta elevate prestazioni termiche e basso R(DS(on)) per ridurre al minimo le perdite di conduzione.


Caratteristica

  • Ingombro ridotto (5 mm x 6 mm) e design compatto

  • Basso R(DS(on)), riducendo al minimo le perdite di conduzione

  • Il basso Q(G) e la capacità riducono al minimo le perdite del driver

  • Ha superato la certificazione AEC-Q101 e dispone di funzionalità PPAP

  • Senza piombo, senza alogeni/bromuro, ritardante di fiamma, senza berillio, conforme alla direttiva RoHS


App

  • Sistema 48v

  • alimentazione elettrica commutabile

  • Interruttori di alimentazione (driver high-side, driver low-side, h-bridge, ecc.)


Specifica

  • Corrente di drenaggio continua massima

  • Massimo 26 milliohm a 10 V e 35 milliohm a 4,5 V (DS(ON))

  • Tensione da drain a source di 100 V

  • Tensione gate-source ±20 V

  • Corrente di dispersione a impulsi 115A

  • Intervallo di temperatura di funzionamento e stoccaggio da -55°C a +175°C


Applicazioni Tipiche


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