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    Introduzione, Caratteristiche E Applicazioni Del MOSFET PowerTrench A Canale N Onsemi NVBLS1D5N10MC

    2/26/2024 9:40:00 AM

    Riepilogo: Presenta elevate prestazioni termiche e basso RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione.

    onsemi NVBLS1D5N10MC MOSFET PowerTrench a canale n

    I MOSFET PowerTrench a canale N onsemi NVBLS1D5N10MC presentano elevate prestazioni termiche e basso R(DS(on)) per ridurre al minimo le perdite di conduzione. NVBLS1D5N10MC è certificato AEC-Q101 e dispone della funzionalità PPAP, che lo rende ideale per le applicazioni automobilistiche.

    Il MOSFET onsemi NVBLS1D5N10MC è disponibile in un pacchetto TOLL con un intervallo di temperatura di giunzione e stoccaggio compreso tra -55°C e +175°C.


    Caratteristica

    • Basso R(DS(on)), riducendo al minimo le perdite di conduzione

    • Il basso Q(G) e la capacità riducono al minimo le perdite del driver

    • Ha superato la certificazione AEC-Q101 e dispone di funzionalità PPAP

    • Ridurre il rumore di commutazione/EMI

    • Senza piombo, conforme alla direttiva RoHS


    App

    • alimentazione elettrica commutabile

    • Protezione contro l'inversione della batteria

    • Interruttori di alimentazione (driver high-side, driver low-side, h-bridge, ecc.)


    Specifica

    • Corrente di scarico continua massima 300 A

    • 1,5 milliohm max 10 V R(DS(ON))

    • Tensione da drain a source di 100 V

    • Tensione gate-source ±20 V

    • Corrente di drenaggio pulsata 900 A

    • Intervallo di temperatura di funzionamento e stoccaggio da -55°C a +175°C


    Applicazioni Tipiche


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