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    Introduzione, Caratteristiche E Applicazioni Del Diodo Schottky Al Carburo Di Silicio NDSH10120C-F155

    2/26/2024 9:10:00 AM

    Riepilogo: Fornisce prestazioni di commutazione superiori, elevata affidabilità/efficienza e maggiore densità di potenza.

    Diodo Schottky al carburo di silicio NDSH10120C-F155

    I diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) onsemi NDSH10120C-F155 offrono prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio. EliteSiC NDSH10120C-F155 non presenta corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendenti dalla temperatura ed eccellenti prestazioni termiche. I vantaggi del sistema includono alta efficienza, frequenza operativa rapida, elevata densità di potenza, bassa EMI, dimensioni ridotte del sistema e basso costo. Le applicazioni includono usi generali, SMPS, inverter solari, UPS e circuiti di commutazione di potenza.


    Caratteristica

    • +175°C temperatura massima di giunzione

    • Valore nominale valanga 49mJ, impulso singolo

    • Elevata capacità di corrente di picco

    • coefficiente di temperatura positivo

    • Facile da parallelizzare

    • Nessun recupero inverso/avanti

    • - 247 - 2 - ld caso

    • Ritardante di fiamma senza piombo, senza alogeni/bromurati, conforme agli standard RoHS


    App

    • universale

    • Alimentatore a commutazione (SMPS), inverter solare, gruppo di continuità (UPS)

    • Circuito dell'interruttore di alimentazione


    Specifica

    • Tensione inversa ripetitiva di picco massimo 1200 V

    • Intervallo massimo di corrente diretta diretta continua da 10 A a 12 A

    • Massima corrente di picco diretta

      • Intervallo di picco non ripetitivo da 459 A a 546 A

      • 59enne non ripetitivo

      • 31 una ripetizione

    • Consumo energetico massimo

      • 94 W a +25 ℃

      • 16W +150°C

    • Intervallo tipico di tensione diretta da 1,39 V a 1,94 V

    • Corrente inversa massima 200μA

    • Carica capacitiva totale tipica 46nC

    • Intervallo tipico di capacità totale da 32 pF (800 V) a 680 pF (1 V).

    • Massima resistenza termica

      • 1,6°C/W giunzione-involucro

      • 40°C/W giunzione-ambiente

    • Intervallo di temperatura operativa -55 ℃ ~ +175 ℃

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