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BOMIntroduzione, Caratteristiche E Applicazioni Del MOSFET Di Potenza RF6G035BG Di ROHM Semiconductor
2/29/2024 9:35:00 AM
Riepilogo: Caratteristiche: 40 V VDSS, ID ± 3,5 A, bassa resistenza in conduzione di 46 milliohm (RDS (on)), consumo energetico (PD) di 1 W.
Il MOSFET di potenza RF6G035BG di ROHM Semiconductor presenta una tensione drain-source di 40 V (V(DSS)) e una corrente di drain continua di ±3,5 A (I(D)). Questo MOSFET a canale n offre una bassa resistenza nello stato di conduzione (R(DS(on))) di 46 milliohm e una dissipazione di potenza di 1 W (P(D)). Il MOSFET RF6G035BG funziona con un intervallo di temperatura di giunzione e stoccaggio compreso tra -55°C e 150°C ed è disponibile in un piccolo contenitore a montaggio superficiale senza alogeni (TUMT6 o SOT-363T). Questo dispositivo conforme a ROHS include placcatura senza piombo. Il MOSFET di potenza RF6G035BG è adatto per applicazioni di commutazione, azionamento di motori e convertitori CC/CC.
Caratteristica
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Bassa resistenza in conduzione
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Placcatura senza piombo, conforme agli standard RoHS
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Contenitore piccolo per montaggio superficiale (TUMT6/SOT-363T)
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Senza alogeno
Specifica
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Tensione drain-source (V(DSS))
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Tensione gate-source ±20 V (V(GSS))
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Intervallo di temperatura di funzionamento e di stoccaggio da -55°C a 150°C
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46 milliohmR (DS(superiore)(max)
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±3,5 A corrente di drenaggio continua (I(D))
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Consumo energetico 1 W (P(D))
App
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Conducente del motore
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interruttore
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Convertitore CC/CC
Cose
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Telefono
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